ELETRÔNICA ANALÓGICA I
Se aplicarmos uma tensão de 12V (RMS) na entrada deste circuito, iremos medir na saída uma tensão do ponto (+V) para (-V) igual a aproximadamente:
Vout = 96V
Vout = 68V
Vout = 136V
Vout = 72V
Vout = 48V
Para o circuito retificador mostrada abaixo encontre o valor médio CC de saída (Vo_1) considerando o diodo ideal, o valor médio CC de saída (Vo_2) considerando o diodo de silício e a a frequência do sinal de saída (Fo). Considere o sinal de entrada uma onda senoidal com a tensão de pico de 100V e frequencia de 60Hz.
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 120Hz
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 60Hz
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 30Hz
Vo_1 = 100V ; Vo_2 = 99,3V ; Fo = 60Hz
Vo_1 = 31,61V ; Vo_2 = 31,83V ; Fo = 120Hz
Considerando as afirmações abaixo:
(1) Quando um elétron se recombina com uma lacuna, a energia armazenada no elétron é liberada na forma de luz (fóton) e calor.
(2) Para que o LED emita luz ele precisa ser polarizado diretamente, não necessitando de nenhum elemento de limitação de corrente, pois a corrente será limitada pela resistência de corpo do próprio componente.
(3) O diodo zener opera na polarização reversa, mantendo em seus terminais com um valor de tensão aproximadamente fixo (Tensão zener), operando na região chamada de zener.
(4) Se um diodo zener for polarizado diretamente ele se comportará com um diodo comum.
Podemos classificar como verdadeiras:
todas as afirmativas.
as afirmativas 1 e 3.
as afirmativas 1, 2 e 3
as afirmativas 1, 3 e 4.
As afirmativas 3 e 4.
Escolha a alternativa que representa o valor da tensão VCE, para Beta = 90:
4,68V
1,56V
4,56V
5,63V
3,69V
Para o circuito abaixo encontre:
Ib1 (Corrente de base de Q1) e Vce1 (Tensão coletor-emissor de Q1)
Ib2 (Corrente de base de Q2) e Vce2 (Tensão coletor-emissor de Q2)
Considere (Beta_Q1 = 100 e Beta_Q2 = 50)
Ib1 = 4,8uA / Vce1 = 7V / Ib2 = 494uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,24V
Ib1 = 6,38uA / Vce1 = 6,3V / Ib2 = 644uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 8,4V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 10,0V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,03V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,80mA
VCE = 11,13V; Icq = 1,70mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,83mA
Determine Vo2 para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = +6,6 V
(a) Vo2 = 0,7 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0 V (b) Vo2 = 0 V
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
Em um material semicondutor que encontra-se na forma cristalina, os atomos compartilham eletrons e se estabelecem através de ligações firmes e estáveis, com uma estrutura entrelaçada. Este processo de compartilhamento de eletrons através de um enlace oval possibilitando estabilidade na camada de valência é chamado:
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente
Considerando as afirmações:
(1) A configuração emissor-comum é descrita desta forma pois o emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída do transistor.
(2) Quando um transistor esta operando na região ativa, sendo utilizado na confguração emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.
(3) O transistor bipolar de junção pode operar como uma chave eletrônica, conduzindo quando saturado e não conduzindo quando em corte.
(4) Em um transistor de silício considera-se uma tensão de aproximadamente 0,7V na junção base-emissor (VBE = 0,7V).
Podemos considerar como verdadeiras
Vout = 96V
Vout = 68V
Vout = 136V
Vout = 72V
Vout = 48V
Para o circuito retificador mostrada abaixo encontre o valor médio CC de saída (Vo_1) considerando o diodo ideal, o valor médio CC de saída (Vo_2) considerando o diodo de silício e a a frequência do sinal de saída (Fo). Considere o sinal de entrada uma onda senoidal com a tensão de pico de 100V e frequencia de 60Hz.
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 120Hz
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 60Hz
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 30Hz
Vo_1 = 100V ; Vo_2 = 99,3V ; Fo = 60Hz
Vo_1 = 31,61V ; Vo_2 = 31,83V ; Fo = 120Hz
Considerando as afirmações abaixo:
(1) Quando um elétron se recombina com uma lacuna, a energia armazenada no elétron é liberada na forma de luz (fóton) e calor.
(2) Para que o LED emita luz ele precisa ser polarizado diretamente, não necessitando de nenhum elemento de limitação de corrente, pois a corrente será limitada pela resistência de corpo do próprio componente.
(3) O diodo zener opera na polarização reversa, mantendo em seus terminais com um valor de tensão aproximadamente fixo (Tensão zener), operando na região chamada de zener.
(4) Se um diodo zener for polarizado diretamente ele se comportará com um diodo comum.
Podemos classificar como verdadeiras:
todas as afirmativas.
as afirmativas 1 e 3.
as afirmativas 1, 2 e 3
as afirmativas 1, 3 e 4.
As afirmativas 3 e 4.
Escolha a alternativa que representa o valor da tensão VCE, para Beta = 90:
4,68V
1,56V
4,56V
5,63V
3,69V
Para o circuito abaixo encontre:
Ib1 (Corrente de base de Q1) e Vce1 (Tensão coletor-emissor de Q1)
Ib2 (Corrente de base de Q2) e Vce2 (Tensão coletor-emissor de Q2)
Considere (Beta_Q1 = 100 e Beta_Q2 = 50)
Ib1 = 4,8uA / Vce1 = 7V / Ib2 = 494uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,24V
Ib1 = 6,38uA / Vce1 = 6,3V / Ib2 = 644uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 8,4V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 10,0V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,03V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,80mA
VCE = 11,13V; Icq = 1,70mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,83mA
Determine Vo2 para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = +6,6 V
(a) Vo2 = 0,7 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0 V (b) Vo2 = 0 V
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
Em um material semicondutor que encontra-se na forma cristalina, os atomos compartilham eletrons e se estabelecem através de ligações firmes e estáveis, com uma estrutura entrelaçada. Este processo de compartilhamento de eletrons através de um enlace oval possibilitando estabilidade na camada de valência é chamado:
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente
Considerando as afirmações:
(1) A configuração emissor-comum é descrita desta forma pois o emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída do transistor.
(2) Quando um transistor esta operando na região ativa, sendo utilizado na confguração emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.
(3) O transistor bipolar de junção pode operar como uma chave eletrônica, conduzindo quando saturado e não conduzindo quando em corte.
(4) Em um transistor de silício considera-se uma tensão de aproximadamente 0,7V na junção base-emissor (VBE = 0,7V).
Podemos considerar como verdadeiras
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 120Hz
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 60Hz
Vo_1 = 31,83V ; Vo_2 = 31,61V ; Fo = 30Hz
Vo_1 = 100V ; Vo_2 = 99,3V ; Fo = 60Hz
Vo_1 = 31,61V ; Vo_2 = 31,83V ; Fo = 120Hz
Considerando as afirmações abaixo:
(1) Quando um elétron se recombina com uma lacuna, a energia armazenada no elétron é liberada na forma de luz (fóton) e calor.
(2) Para que o LED emita luz ele precisa ser polarizado diretamente, não necessitando de nenhum elemento de limitação de corrente, pois a corrente será limitada pela resistência de corpo do próprio componente.
(3) O diodo zener opera na polarização reversa, mantendo em seus terminais com um valor de tensão aproximadamente fixo (Tensão zener), operando na região chamada de zener.
(4) Se um diodo zener for polarizado diretamente ele se comportará com um diodo comum.
Podemos classificar como verdadeiras:
todas as afirmativas.
as afirmativas 1 e 3.
as afirmativas 1, 2 e 3
as afirmativas 1, 3 e 4.
As afirmativas 3 e 4.
Escolha a alternativa que representa o valor da tensão VCE, para Beta = 90:
4,68V
1,56V
4,56V
5,63V
3,69V
Para o circuito abaixo encontre:
Ib1 (Corrente de base de Q1) e Vce1 (Tensão coletor-emissor de Q1)
Ib2 (Corrente de base de Q2) e Vce2 (Tensão coletor-emissor de Q2)
Considere (Beta_Q1 = 100 e Beta_Q2 = 50)
Ib1 = 4,8uA / Vce1 = 7V / Ib2 = 494uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,24V
Ib1 = 6,38uA / Vce1 = 6,3V / Ib2 = 644uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 8,4V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 10,0V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,03V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,80mA
VCE = 11,13V; Icq = 1,70mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,83mA
Determine Vo2 para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = +6,6 V
(a) Vo2 = 0,7 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0 V (b) Vo2 = 0 V
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
Em um material semicondutor que encontra-se na forma cristalina, os atomos compartilham eletrons e se estabelecem através de ligações firmes e estáveis, com uma estrutura entrelaçada. Este processo de compartilhamento de eletrons através de um enlace oval possibilitando estabilidade na camada de valência é chamado:
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente
Considerando as afirmações:
(1) A configuração emissor-comum é descrita desta forma pois o emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída do transistor.
(2) Quando um transistor esta operando na região ativa, sendo utilizado na confguração emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.
(3) O transistor bipolar de junção pode operar como uma chave eletrônica, conduzindo quando saturado e não conduzindo quando em corte.
(4) Em um transistor de silício considera-se uma tensão de aproximadamente 0,7V na junção base-emissor (VBE = 0,7V).
Podemos considerar como verdadeiras
todas as afirmativas.
as afirmativas 1 e 3.
as afirmativas 1, 2 e 3
as afirmativas 1, 3 e 4.
As afirmativas 3 e 4.
Escolha a alternativa que representa o valor da tensão VCE, para Beta = 90:
4,68V
1,56V
4,56V
5,63V
3,69V
Para o circuito abaixo encontre:
Ib1 (Corrente de base de Q1) e Vce1 (Tensão coletor-emissor de Q1)
Ib2 (Corrente de base de Q2) e Vce2 (Tensão coletor-emissor de Q2)
Considere (Beta_Q1 = 100 e Beta_Q2 = 50)
Ib1 = 4,8uA / Vce1 = 7V / Ib2 = 494uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,24V
Ib1 = 6,38uA / Vce1 = 6,3V / Ib2 = 644uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 8,4V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 10,0V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,03V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,80mA
VCE = 11,13V; Icq = 1,70mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,83mA
Determine Vo2 para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = +6,6 V
(a) Vo2 = 0,7 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0 V (b) Vo2 = 0 V
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
Em um material semicondutor que encontra-se na forma cristalina, os atomos compartilham eletrons e se estabelecem através de ligações firmes e estáveis, com uma estrutura entrelaçada. Este processo de compartilhamento de eletrons através de um enlace oval possibilitando estabilidade na camada de valência é chamado:
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente
Considerando as afirmações:
(1) A configuração emissor-comum é descrita desta forma pois o emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída do transistor.
(2) Quando um transistor esta operando na região ativa, sendo utilizado na confguração emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.
(3) O transistor bipolar de junção pode operar como uma chave eletrônica, conduzindo quando saturado e não conduzindo quando em corte.
(4) Em um transistor de silício considera-se uma tensão de aproximadamente 0,7V na junção base-emissor (VBE = 0,7V).
Podemos considerar como verdadeiras
4,68V
1,56V
4,56V
5,63V
3,69V
Para o circuito abaixo encontre:
Ib1 (Corrente de base de Q1) e Vce1 (Tensão coletor-emissor de Q1)
Ib2 (Corrente de base de Q2) e Vce2 (Tensão coletor-emissor de Q2)
Considere (Beta_Q1 = 100 e Beta_Q2 = 50)
Ib1 = 4,8uA / Vce1 = 7V / Ib2 = 494uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,24V
Ib1 = 6,38uA / Vce1 = 6,3V / Ib2 = 644uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 8,4V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 10,0V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,03V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,80mA
VCE = 11,13V; Icq = 1,70mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,83mA
Determine Vo2 para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = +6,6 V
(a) Vo2 = 0,7 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0 V (b) Vo2 = 0 V
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
Em um material semicondutor que encontra-se na forma cristalina, os atomos compartilham eletrons e se estabelecem através de ligações firmes e estáveis, com uma estrutura entrelaçada. Este processo de compartilhamento de eletrons através de um enlace oval possibilitando estabilidade na camada de valência é chamado:
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente
Considerando as afirmações:
(1) A configuração emissor-comum é descrita desta forma pois o emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída do transistor.
(2) Quando um transistor esta operando na região ativa, sendo utilizado na confguração emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.
(3) O transistor bipolar de junção pode operar como uma chave eletrônica, conduzindo quando saturado e não conduzindo quando em corte.
(4) Em um transistor de silício considera-se uma tensão de aproximadamente 0,7V na junção base-emissor (VBE = 0,7V).
Podemos considerar como verdadeiras
Ib1 = 4,8uA / Vce1 = 7V / Ib2 = 494uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,24V
Ib1 = 6,38uA / Vce1 = 6,3V / Ib2 = 644uA / Vce2 = 0V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 7,7V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Ib1 = 3,4uA / Vce1 = 8,4V / Ib2 = 343uA / Vce2 = 1,94V
Escolha a alternativa que representa o ponto de operação do transistor no circuito abaixo:
VCE = 10,0V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,03V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,80mA
VCE = 11,13V; Icq = 1,70mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,83mA
Determine Vo2 para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = +6,6 V
(a) Vo2 = 0,7 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0 V (b) Vo2 = 0 V
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
Em um material semicondutor que encontra-se na forma cristalina, os atomos compartilham eletrons e se estabelecem através de ligações firmes e estáveis, com uma estrutura entrelaçada. Este processo de compartilhamento de eletrons através de um enlace oval possibilitando estabilidade na camada de valência é chamado:
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente
Considerando as afirmações:
(1) A configuração emissor-comum é descrita desta forma pois o emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída do transistor.
(2) Quando um transistor esta operando na região ativa, sendo utilizado na confguração emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.
(3) O transistor bipolar de junção pode operar como uma chave eletrônica, conduzindo quando saturado e não conduzindo quando em corte.
(4) Em um transistor de silício considera-se uma tensão de aproximadamente 0,7V na junção base-emissor (VBE = 0,7V).
Podemos considerar como verdadeiras
VCE = 10,0V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,03V; Icq = 1,80mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,80mA
VCE = 11,13V; Icq = 1,70mA
VCE = 10,13V; Icq = 1,83mA
Determine Vo2 para os circuitos da figura abaixo.
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = +6,6 V
(a) Vo2 = 0,7 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0 V (b) Vo2 = 0 V
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
Em um material semicondutor que encontra-se na forma cristalina, os atomos compartilham eletrons e se estabelecem através de ligações firmes e estáveis, com uma estrutura entrelaçada. Este processo de compartilhamento de eletrons através de um enlace oval possibilitando estabilidade na camada de valência é chamado:
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente
Considerando as afirmações:
(1) A configuração emissor-comum é descrita desta forma pois o emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída do transistor.
(2) Quando um transistor esta operando na região ativa, sendo utilizado na confguração emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.
(3) O transistor bipolar de junção pode operar como uma chave eletrônica, conduzindo quando saturado e não conduzindo quando em corte.
(4) Em um transistor de silício considera-se uma tensão de aproximadamente 0,7V na junção base-emissor (VBE = 0,7V).
Podemos considerar como verdadeiras
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = +6,6 V
(a) Vo2 = 0,7 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0 V (b) Vo2 = 0 V
(a) Vo2 = -0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
(a) Vo2 = 0,3 V (b) Vo2 = -6,6 V
Em um material semicondutor que encontra-se na forma cristalina, os atomos compartilham eletrons e se estabelecem através de ligações firmes e estáveis, com uma estrutura entrelaçada. Este processo de compartilhamento de eletrons através de um enlace oval possibilitando estabilidade na camada de valência é chamado:
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente
Considerando as afirmações:
(1) A configuração emissor-comum é descrita desta forma pois o emissor é comum em relação aos terminais de entrada e saída do transistor.
(2) Quando um transistor esta operando na região ativa, sendo utilizado na confguração emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.
(3) O transistor bipolar de junção pode operar como uma chave eletrônica, conduzindo quando saturado e não conduzindo quando em corte.
(4) Em um transistor de silício considera-se uma tensão de aproximadamente 0,7V na junção base-emissor (VBE = 0,7V).
Podemos considerar como verdadeiras
Ligação de átomos
Ligação inter-atômica
Ligação Iônica
Arranjos cirstalinos
Ligação Covalente